主要规格及技术指标

1.End pressure(≥24h):≦3×10-6mBar TMP; Lower IGP≦5×10-7mBar; Upper IGP≦5×10-9mBar.
2. High resolution at HT=10 KV (or higher): 1.5nm;at HT=1 KV:2.5nm

主要功能及特色

有功能： SE、BSE模式下观察、分析材料的微观形貌及EDS微区成分分析(GENESIS60S能谱 仪，分辨率：131eV)，电子背散射衍射系统（EBSD）(2009年新增)

主要附件及配置

EDS、BSE以及EBSD系统