二次电子成像:高真空1.0nm (15kV);1.6nm (1kV);低真空 1.5nm (10kV);1.8nm (3kV) ; 背散射电子成像:<2.5nm (30kV)
观察材料表面微观形貌,分析样品微区成分。
能谱附件分析样品成分。扫描电镜拉伸载台对样品进行拉伸和弯曲实验,电镜可实时观测样品形变过程。