主要规格及技术指标

分辨率：0.8nm (二次电子,加速电压：15kV)；1.0nm (二次电子,加速电压：1kV)；
倍率：Direct magnification: x25 to 1,000,000（120 x 90 mm）；Display magnification: x75 to 3,000,000（1,280 x 960 pixels）；
加速电压：0.1 ～ 30 kV；
探针电流：数 pA ～ 200 nA；

主要功能及特色

采用半浸没式物镜和High Power Optics照明系统，提供稳定的高空间分辨率观察和分析。此外还具备利用GENTLEBEAMTM模式进行低加速电压观察、通过r-filter分选信号等满足各种需求的高扩展性。

主要附件及配置

无