主要规格及技术指标

SEI分辨率：3nm @0.1nA,40nm @10nA,100nm @100nA，空间分辨率好于0.1μm，加速电压1~30kV，束流范围0.01nA~500nA，束流稳定度优于±0.3%/h，图像放大倍率40~300000倍，电子束位移小于1μm/h。分析元素范围5B~92U，分析精度：优于1%（主元素，含量大于5%）和5%（次要元素，含量约为1%，X射线出射角为40度。谱仪稳定性：记数率的重复性（给定波长位置）优于0.5%，峰位置重复性（同一分光晶体）优于0.5%，峰位置重复性（交换分光晶体后）优于1.5%，四道谱仪，其中两道日本电子100mm罗兰圆谱仪是全聚焦型晶体，两道日本电子140mm罗兰圆谱仪是半聚焦型晶体。

主要功能及特色

可实现材料微区的化学组成定性和定量分析、材料微区的化学组成线分析和面分析、材料微区的高分辨二次电子像、背散射电子像观察以及离子迁移现象分析等。

主要附件及配置

主要附件：日本电子高真空喷碳镀膜仪；牛津电制冷能谱仪