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截面抛光仪(IB-19530CP)
截面抛光仪(IB-19530CP)
仪器编号
2021025606
规格
1、离子加速电压:2~8KV 2、离子束直径:500um以上(FWHM) 3、刻蚀速率:500um以上(2小时的平均值、8KV、硅材质换算、突出量100um) 4、样品摆动功能(专利技术):刻蚀过程中,样品自动摆动±30°) 5、加工模式:自动加工、间歇加工、精抛加工 6、最大样品尺寸:11mm(宽
生产厂家
日本电子株式会社
型号
IB-19530CP
制造国家
日本
分类号
放置地点
北校区材料科学与工程学院扫描电镜实验室
出厂日期
1970/01/01
购置日期
2019/09/09
入网日期
2021/12/08

主要规格及技术指标

1、离子加速电压:2~8KV
2、离子束直径:500um以上(FWHM)
3、刻蚀速率:500um以上(2小时的平均值、8KV、硅材质换算、突出量100um)
4、样品摆动功能(专利技术):刻蚀过程中,样品自动摆动±30°)
5、加工模式:自动加工、间歇加工、精抛加工
6、最大样品尺寸:11mm(宽度)X10mm(长度)X2mm(厚度)

主要功能及特色

1、生产厂家:日本电子株式会社(JEOL)
2、规格型号:IB-19530CP
氩离子截面抛光仪能够实现复杂体系样品的截面(界面)的无损制备。对柔性薄膜截面进行加工,获得光滑平整的截面,从而实现对薄膜厚度和均匀性的表征;对包含不同硬度的多相样品进行抛光,得到无划痕的表面或者截面,从而获得较好的电子背散射衍射(EBSD)花样,满足进行微区相鉴定和相分布分析的要求;对多孔材料、介孔材料等采用传统机械抛光方法无法获得的截面进行加工,从而获得这些材料内部孔道结构信息。

主要附件及配置

公告名称 公告内容 发布日期