主要规格及技术指标

1)基片尺寸:碎片(10mm×10mm-2英寸)、4英寸、6英寸;
2) 掩膜版尺寸:3英寸、5英寸、7英寸;
3) 分辨率:0.8μm（真空接触）；
4)正面对准精度:±0.5μm; 背面对准精度：±2μm;
5) 曝光光源:LED光源，支持i线365nm及405+436nm波长。

主要功能及特色

用于微米尺度光刻工艺，实现双面对准和接触式曝光功能，支持恒定光强和恒定功率模式曝光，支持硬接触、软接触、接近式和真空接触，底部对准采用不变焦对准方式。

主要附件及配置

防震台、真空泵