主要规格及技术指标

(1) 基片尺寸：4英寸；
(2) 加热温度：≤850℃ ±1℃；
(3) 电源最大功率：射频电源300W，直流电源 200W；
(4）极限真空压强：5*10-8Torr；
(5) 薄膜均匀性: 直径100nm硅片镀制100nm以上的薄膜，均匀性可达±2.5%；
(6) 薄膜重复性: 同样镀膜工艺做三个样品，重复率偏差优于±3%；
(7) 成膜速率(Cu或Al)：0.1A/s-10A/s。

主要功能及特色

用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等薄膜材料的制备。当前有靶材（ITO, Al, Cu, Ni, Al2O3, SiO2, NiO，TiO2）

主要附件及配置

水冷机