超高真空外延室腔体、进样室腔体(真空漏率小于1E-11mbar.l.s-1);三维驱动升、降温样品台(低温小于20K,液氦导入;高温:>600°);高温蒸发源(本底真空1E-11mbar,1500℃,3个);膜厚仪(水冷构造、直线驱动);样品传动磁力杆,分子泵组等
超高真空(<5e-7Pa)薄膜沉积系统,衬底温度可控(20K-1200K),可传输物理掩模板,可实现超高真空原位器件生长。
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