基片加热温度 室温~400℃ 前驱体管路温度 室温~200℃ 源瓶加热温度 室温~200℃ 本底真空 <5x10-3Torr 载气系统 N2或者Ar 控制系统 PLC+触摸屏或者显示器 电源 50-60Hz,220V/20A交流电源 设备尺寸 600mm x 600mm x 1100mm
用于沉积薄膜。
无