1.离子枪束能量:1.5千伏~6千伏2.束直径:350μm FWHM at 5kev3.离子束电流密度:10mA4.减薄速度:硅,每小时40μm,5kv5.样品旋转:无极可变,每分钟1~6转6.离子束调制:单一或双面横截面减薄7.真空度:5E~6Torr基本压强,工作时8E~5Torr base8.凹坑仪定位精度:小于10nm9.减薄厚度控制:1μm
减薄速度:硅,每小时40μm,5kv
无